光鼎電子推出 ThermaFlat™ SiC MOSFET 系列獨創技術突破高溫電阻瓶頸搶攻 AI 與新能源商機

台北2026年7月22日 /美通社/ — 隨著 AI、高效能運算（HPC）、新能源及電動交通（e-Mobility）應用快速成長，市場對電源系統的要求，已由過去的「高轉換效率」，全面升級為「高可靠度、高功率密度與低損耗」的嚴苛標準。

臺灣上市公司光鼎電子推出 ThermaFlat™ SiC MOSFET 系列產品。憑藉獨創的 Ultra-Low R_DS(on) Drift 技術，該元件在高溫高負載下能維持電阻穩定，保障電源系統的高效與運作安全，為新世代高功率設備提供最具競爭力的功率元件。

ThermaFlat™ 技術：打破高溫電阻上升瓶頸，斬斷熱失控惡性循環

一般 SiC MOSFET 的導通電阻（R_DS(on)）具有正溫度係數，當元件於高溫運作時，電阻會隨溫度升高而增加，進而產生更多廢熱，提高熱失控與系統失效的風險。

光鼎 ThermaFlat™ SiC MOSFET 的 Ultra-Low R_DS(on) Drift 技術大幅降低電阻受溫度影響的程度。以 650V、21mΩ 產品（TO-247-3 封裝）為例，當晶片接面溫度（Tj）由 -25°C 提升至 +125°C 時，電阻變化幅度僅約 8%，遠低於一般同級產品，同時仍保有優異的切換損耗（switching loss）表現，能協助系統大幅降低散熱成本。1200V 系列產品亦展現極低的溫度係數，可有效提升電源系統整體性能。

完整產品佈局，兼顧高抗干擾與成本優勢

為滿足多元市場需求，光鼎已建立完善的 ThermaFlat™ 功率元件產品佈局。除了已在市場穩定供貨的 ThermaFlat™ I 系列之外，光鼎本次正式推出全新 ThermaFlat™ II 系列，提供客戶更具抗干擾與簡化設計優勢的新選擇：

ThermaFlat™ I 系列： 提供 650V、1200V 至 1700V 的完整電壓型號與多元封裝（如 TO-247-3L/4L、TOLL-8L、Q-DPAK 等），可直接對應市場主流電源架構，縮短開發時程。
ThermaFlat™ II 系列： 採用 High V_GS(th) 高閘極臨界電壓設計，提升系統抗干擾能力，驅動電路無須負電壓關斷即可穩定運作，簡化設計並降低成本。

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發揮整合優勢，深耕全球功率半導體市場

光鼎功率半導體事業部洪敏清副總表示，公司核心競爭力在於「高質量與一致性」、「提高電源系統性能穩定度與降低系統成本」以及「穩定快速的供貨能力」。憑藉優異的晶圓良率、自有封裝工廠，以及完整的供應鏈整合能力，光鼎不僅能提供高效能元件，更能依據客戶需求建立安全庫存機制，有效降低夥伴的供應鏈風險。

展望未來，光鼎將持續加大研發投入，加速光電與功率半導體的技術雙軌創新。公司將攜手全球客戶與合作夥伴，共同推動高效率綠色能源應用，迎向 AI 與新能源驅動的永續未來。

【關於光鼎電子（Para Light）】

光鼎電子（股票代號：6226）創立於 1987 年，為全球知名之 LED 封裝與電子元件製造商。近年憑藉深厚的封裝與供應鏈整合實力，積極跨足功率半導體領域。光鼎電子於臺灣、中國、美國、印度及緬甸設有全球營運與製造基地，致力於為全球客戶提供高效能、高可靠度的光電與功率半導體解決方案。官方網站：www.para.com.tw

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